GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Propiedades básicas
País Natal
GUANGDONG-China
Nombre De La Marca
LDSK-TZ
MODELO DE PRODUCTO
TZ-Gan
Propiedades comerciales
Cuota De Producción
1
Precio Unitario
$290
Método De Pago
T/T, D/P, D/A
Resumen del producto
Este amplificador de potencia GaN RF de 4000‑4900 MHz ofrece una salida de 80 W en CW con una eficiencia típica del 45 %. Dispone de fuente de señal incorporada, entrada de 28V DC y conector N-hembra. La unidad compacta de 330 g ofrece alta ganancia, baja fluctuación dentro de banda y rendimiento térmico estable para la integración del sistema RF.
Detalles del producto
Resaltar:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5dBm
Working Voltage:
28 V
Size:
133.8*51.3*22.5 mm
Frequency Range:
4000-4900MHz
RF Output Connector:
norte
High And Low Temperature Test:
-40～+55 ℃ (temperatura ambiente de trabajo)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 gramos
Working Efficiency:
45%
Descripción del producto
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
