GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Podstawowe właściwości
Kraj Pochodzenia
GUANGDONG – Chiny
Nazwa Marki
LDSK-TZ
MODEL PRODUKTU
TZ-Gan
Nieruchomości handlowe
MOQ
1
Cena Jednostkowa
$290
Metoda Płatności
T/T, D/P, D/A
Podsumowanie produktu
Ten wzmacniacz mocy GaN RF o częstotliwości 4000–4900 MHz zapewnia moc wyjściową 80 W CW przy typowej wydajności 45%. Posiada wbudowane źródło sygnału, wejście 28 V DC i złącze żeńskie N. Kompaktowa jednostka o wadze 330 g zapewnia wysokie wzmocnienie, niskie wahania pasma i stabilną wydajność termiczną dla integracji systemu RF.
Szczegóły produktu
Podkreślić:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5dBm
Working Voltage:
28 V
Size:
133,8*51,3*22,5 mm
Frequency Range:
4000-4900 MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40～+55 ℃ (temperatura środowiska pracy)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 gr
Working Efficiency:
45%
Opis produktu
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
