GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Proprietà di base
Paese Di Origine
GUANGDONG-Cina
Marchio
LDSK-TZ
MODELLO DEL PRODOTTO
TZ-Gan
Proprietà Commerciali
MOQ
1
Prezzo Unitario
$290
Metodo Di Pagamento
T/T,D/P,D/A
Riepilogo Prodotto
Questo amplificatore di potenza RF GaN da 4.000‑4.900 MHz fornisce un'uscita CW da 80 W con un'efficienza tipica del 45%. Dispone di sorgente di segnale integrata, ingresso da 28 V CC e connettore N-femmina. L'unità compatta da 330 g offre guadagno elevato, bassa fluttuazione in banda e prestazioni termiche stabili per l'integrazione del sistema RF.
Dettagli del prodotto
Evidenziare:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5 dBm
Working Voltage:
28 v
Size:
133,8*51.3*22,5 mm
Frequency Range:
4000-4900 MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40～+55 ℃ (temperatura dell'ambiente di lavoro)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330gr
Working Efficiency:
45%
Descrizione del prodotto
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
