GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Βασικές Ιδιότητες
Χώρα Προέλευσης
ΓΚΟΥΑΝΚΝΤΟΝΓΚ-Κίνα
Επωνυμία Μάρκας
LDSK-TZ
ΜΟΝΤΕΛΟ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ
TZ-Gan
Εμπορικά Ακίνητα
Τροποποιημένο
1
Τιμή Μονάδας
$290
Μέθοδος Πληρωμής
T/T,D/P,D/A
Σύνοψη του προϊόντος
Αυτός ο ενισχυτής ισχύος RF GaN 4000-4900 MHz παρέχει ισχύ 80W CW με τυπική απόδοση 45%. Διαθέτει ενσωματωμένη πηγή σήματος, είσοδο 28V DC και N-θηλυκό βύσμα. Η συμπαγής μονάδα 330 g προσφέρει υψηλό κέρδος, χαμηλή διακύμανση εντός της ζώνης, σταθερή θερμική απόδοση για ενσωμάτωση συστήματος ραδιοσυχνοτήτων.
Λεπτομέρειες προϊόντος
Επισημαίνω:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5dBm
Working Voltage:
28 V
Size:
133.8*51.3*22.5mm
Frequency Range:
4000-4900MHz
RF Output Connector:
Ν
High And Low Temperature Test:
-40～+55 ℃ (θερμοκρασία περιβάλλοντος εργασίας)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 γρ
Working Efficiency:
45%
Περιγραφή του προϊόντος
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
