GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
الخصائص الأساسية
بلد المنشأ
قوانغدونغ-الصين
الاسم التجاري
LDSK-TZ
نموذج المنتج
TZ-غان
تداول العقارات
الـ MOQ
1
سعر الوحدة
$290
طريقة الدفع
تي / تي، د / ف، د / أ
ملخص المنتج
يوفر مضخم الطاقة GaN RF بتردد 4000-4900 ميجاهرتز خرج 80 وات CW بكفاءة نموذجية 45%. يحتوي على مصدر إشارة مدمج ومدخل تيار مستمر 28 فولت وموصل N-أنثى. توفر الوحدة المدمجة 330 جرام مكاسب عالية، وتقلبًا منخفضًا في النطاق، وأداءً حراريًا مستقرًا لتكامل نظام الترددات اللاسلكية.
تفاصيل المنتج
إبراز:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49 ± 0.5 ديسيبل مللي أمبير
Working Voltage:
28 v
Size:
133.8*51.3*22.5mm
Frequency Range:
4000-4900 ميجا هرتز
RF Output Connector:
ن
High And Low Temperature Test:
-40～+55 درجة مئوية (درجة حرارة بيئة العمل)
Output Port VSWR:
.301.30
Weight:
330 جرام
Working Efficiency:
45 ٪
وصف المنتج
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
