GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Propriedades Básicas
País De Origem
GUANGDONG-China
Marca
LDSK-TZ
MODELO DE PRODUTO
TZ-Gan
Propriedades comerciais
MOQ
1
Preço Unitário
$290
Método De Pagamento
T/T,D/P,D/A
Resumo do Produto
Este amplificador de potência GaN RF de 4000-4900 MHz oferece saída CW de 80 W com eficiência típica de 45%. Possui fonte de sinal integrada, entrada de 28 Vcc e conector N fêmea. A unidade compacta de 330g oferece alto ganho, baixa flutuação na banda e desempenho térmico estável para integração de sistemas de RF.
Detalhes do produto
Destacar:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5dBm
Working Voltage:
28 v
Size:
133.8*51,3*22,5mm
Frequency Range:
4000-4900 MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40~+55 ℃ (temperatura do ambiente de trabalho)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330g
Working Efficiency:
45%
Descrição do produto
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
