GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Основные свойства
Страна Происхождения
ГУАНДУН-Китай
Название Бренда
LDSK-TZ
МОДЕЛЬ ПРОДУКТА
ТЗ-Ган
Торговая недвижимость
МОК
1
Цена За Единицу Товара
$290
Способ Оплаты
Т/Т, Д/П, Д/А
Резюме продукта
Этот ВЧ усилитель мощности на GaN с частотой 4000–4900 МГц обеспечивает выходную мощность непрерывного сигнала 80 Вт при типичном КПД 45%. Он имеет встроенный источник сигнала, вход 28 В постоянного тока и разъем N-гнездо. Компактное устройство весом 330 г обеспечивает высокий коэффициент усиления, низкие внутриполосные колебания и стабильные тепловые характеристики для интеграции радиочастотных систем.
Подробная информация о продукте
Выделить:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0,5 дБм
Working Voltage:
28 В
Size:
133,8*51,3*22,5 мм
Frequency Range:
4000-4900 МГц
RF Output Connector:
Н
High And Low Temperature Test:
-40～+55 ℃ (температура рабочей среды)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 г
Working Efficiency:
45%
Описание продукта
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
