GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
기본 특성
원산지
광동-중국
브랜드 이름
LDSK-TZ
제품 모델
TZ-간
부동산 거래
MOQ
1
단가
$290
지불 방법
T/T,D/P,D/A
제품 요약
이 4000~4900MHz GaN RF 전력 증폭기는 45% 일반 효율에서 80W CW 출력을 제공합니다. 이 장치에는 신호 소스, 28V DC 입력 및 N-암 커넥터가 내장되어 있습니다. 컴팩트한 330g 장치는 RF 시스템 통합을 위한 높은 이득, 낮은 대역 내 변동, 안정적인 열 성능을 제공합니다.
제품 세부정보
강조하다:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49±0.5dBm
Working Voltage:
28 v
Size:
133.8*51.3*22.5mm
Frequency Range:
4000-4900MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40~+55 ℃ (작업 환경 온도)
Output Port VSWR:
≤1.30
Weight:
330g
Working Efficiency:
45%
제품 설명
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
