GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Grundlegende Eigenschaften
Ursprungsland
GUANGDONG-China
Markenbezeichnung
LDSK-TZ
PRODUKTMODELL
TZ-Gan
Immobilienhandel
MOQ
1
Stückpreis
$290
Zahlungsmethode
T/T,D/P,D/A
Produktübersicht
Dieser 4000–4900 MHz GaN-HF-Leistungsverstärker liefert 80 W CW-Ausgang bei einem typischen Wirkungsgrad von 45 %. Es verfügt über eine integrierte Signalquelle, einen 28-V-DC-Eingang und einen N-Buchsenanschluss. Das kompakte 330-g-Gerät bietet eine hohe Verstärkung, geringe In-Band-Schwankungen und eine stabile thermische Leistung für die HF-Systemintegration.
Produktdetails
Hervorheben:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49 ± 0,5 dBm
Working Voltage:
28 v
Size:
133,8*51,3*22,5 mm
Frequency Range:
4000–4900 MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40~+55 ℃ (Arbeitsumgebungstemperatur)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 gr
Working Efficiency:
45%
Beschreibung des Produkts
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
