GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Propriétés de base
Pays D'Origine
GUANGDONG-Chine
Nom De La Marque
LDSK-TZ
MODÈLE DE PRODUIT
TZ-Gan
Propriétés commerciales
Nombre De Pièces
1
Prix Unitaire
$290
Méthode De Paiement
T/T,D/P,D/A
Résumé du produit
Cet amplificateur de puissance RF GaN 4 000 à 4 900 MHz offre une sortie CW de 80 W avec un rendement typique de 45 %. Il dispose d'une source de signal intégrée, d'une entrée 28 V CC et d'un connecteur N femelle. L'unité compacte de 330 g offre un gain élevé, une faible fluctuation dans la bande et des performances thermiques stables pour l'intégration du système RF.
Détails du produit
Mettre en évidence:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49 ± 0,5 dBm
Working Voltage:
28 V
Size:
133,8 * 51,3 * 22,5 mm
Frequency Range:
4000-4900MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40 ~ + 55 ℃ (température de l'environnement de travail)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 g
Working Efficiency:
45%
Description du produit
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
