GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
GaN RF Power Amplifier Module 4000‑4900MHz 80W CW High Gain Power Amp Module Built‑in Signal Source 28V DC for RF System Integration
Basis eigenschappen
Land Van Herkomst
GUANGDONG-China
Merknaam
LDSK-TZ
PRODUCTMODEL
TZ-Gan
Handelsgoederen
MOQ
1
Eenheidsprijs
$290
Betaalmethode
T/T, D/P, D/A
Productoverzicht
Deze 4000‑4900 MHz GaN RF-eindversterker levert 80 W CW-uitgang bij een typisch rendement van 45%. Het heeft een ingebouwde signaalbron, 28 V DC-ingang en N-vrouwelijke connector. Compacte eenheid van 330 g biedt hoge versterking, lage fluctuaties in de band en stabiele thermische prestaties voor RF-systeemintegratie.
Productdetails
Markeren:
GaN RF Power Amplifier Module
,4000-4900MHz 80W CW Power Amp
,28V DC RF System Integration Module
Maximum Output Power:
49 ± 0,5 dBm
Working Voltage:
28 V
Size:
133.8*51.3*22,5 mm
Frequency Range:
4000-4900 MHz
RF Output Connector:
N
High And Low Temperature Test:
-40~+55 ℃ (werkomgevingstemperatuur)
Output Port VSWR:
≤1,30
Weight:
330 gr
Working Efficiency:
45%
Productbeschrijving
Product Overview This GaN RF power amplifier module delivers 80 W continuous-wave output across the 4000–4900 MHz band with a built-in signal source. Operating from a 28 V DC supply (24–32 V range), it is engineered for stable, high-gain performance in demanding RF system integration projects. Technical Specifications Test Item Indicator Unit Remarks Frequency Range 4000–4900 MHz With built-in signal source Operating Voltage 28 V 24–32 V Maximum Output Power 49 ± 0.5 dBm 80 W
