Ladasky 100W 50dBm GaN Güç Amplifikatörü 100-1020MHz RF Amplifikatör Modülü Dahili Sinyal Kaynaklı İnsansız Hava Aracı Savunma Sistemleri İçin
Detay Bilgileri Menşe Yeri: Çin Sertifikasyon: Guangdong, Çin Tespit Frekansı: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100W Paketleme Detayları: Kutu Tedarik Yeteneği: Ayda 50000 adet Ürün Açıklaması LDK-TZ- 100W GaN Geniş Bant RF Güç Amplifikatör Modülü (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz) Ürün ...
LDK-TZ- 100W GaN Geniş Bant RF Güç Amplifikatör Modülü (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
TZ‑KGAN‑100W, endüstriyel sistem entegrasyonu için tasarlanmış kompakt, metal kasalı bir GaN RF güç amplifikatörüdür. 100-1020 MHz arasında 100W çıkış gücü sunar, tipik çalışma verimliliği %50'dir ve geniş sıcaklık aralığında ±1.5 dB güç değişimi gösterir. İki fiziksel seçenek mevcuttur: standart ünite ve izolatörlü, ayrı boyut ve ağırlık parametrelerine sahip ünite. Taban tabanlı termal dağılımı benimser ve kararlı performans için cebri hava soğutma veya iletken ısı emici gerektirir. Modül, uzaktan donanım kontrolü için yüksek/düşük seviyeli etkinleştirme tetikleyicisini destekler. Kolay şasi kurulumu için M3 vidalarla sabitlenir. Tüm test verileri 25°C ortam koşullarında toplanmıştır, özel mekanik ve arayüz seçenekleri görüşülebilir.
| Öğe | Özellik | Notlar |
|---|---|---|
| Ürün Modeli | LDK‑TZ‑KGAN‑100W | |
| Çalışma Frekansı | 100‑1020 MHz | Birden çok alt aralık kapsanır, dahili yüksek verimli sinyal kaynağı |
| Anma Maksimum Çıkış | 100W (50 dBm) | Maksimum güçte akım tüketimi ≤7.8A |
| Maksimum Kazanç | 45 dB | |
| Tipik Amplifikatör Verimliliği | 50% | |
| DC Giriş Voltajı | 24‑32 V | Önerilen tipik çalışma voltajı: 28 V |
| Güç Kaynağı Kapasitesi | ≥9 A | Sürekli dalga tam güç çıkışı için gereklidir |
| Çalışma Ortamı Sıcaklığı | -40℃ ~ +55℃ | |
| Çıkış Gücü Sapması | ±1.5 dB | -20℃ ~ +75℃ içinde ölçülmüştür |
| Çıkış VSWR | ≤2 | |
| RF Çıkış Arayüzü | N-Dişi | Özel konektörler kabul edilebilir |
| Etkinleştirme Sinyali | Beyaz tel pimi | Güç açık için yüksek seviye, güç kapalı için düşük seviye |
| Boyut - Standart Versiyon | 156.564.724.5 mm | Boyut N-Dişi konektör hariçtir |
| Boyut - İzolatörlü Versiyon | 187.164.724.5 mm | Boyut N-Dişi konektör hariçtir |
| Birim Ağırlığı | 471g / 500g | Standart / İzolatörlü versiyon |
| Termal Çözüm | Taban ısı dağılımı | Cebri hava soğutma veya iletken ısı emici gerektirir |
| Montaj Bağlantı Elemanı | M3.0 çelik vidalar |
Ana Vurgular:
- Yüksek performanslı RF sistemleri için güçlü amplifikasyon yeteneği sağlayan 100W'a kadar sürekli RF çıkış gücü sunar.
- Yüksek verimlilik, yüksek sıcaklık toleransı ve kararlı çalışma için mükemmel voltaj direnci özelliklerine sahip GaN yarı iletken teknolojisine dayanmaktadır.
- Esnek sistem entegrasyonu için birden çok frekans seçeneği ile 100MHz ila 1020MHz arasında geniş frekans kapsama alanını destekler.
- Dahili yüksek verimli sinyal kaynağı tasarımı, harici ekipman gereksinimlerini azaltır ve sistem dağıtımını basitleştirir.
- Zorlu uygulamalarda güvenilir RF sinyal performansını sağlamak için yüksek doğrusallık ve düşük bozulma çıkışı sağlar.
