Ladasky 100W 50dBm GaN Wzmacniacz mocy 100-1020MHz Moduł wzmacniacza RF z wbudowanym źródłem sygnału do systemów przeciwdronowych
Szczegółowe informacje Miejsce pochodzenia: Chiny Certyfikacja: Guangdong, Chiny Częstotliwość wykrywania: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100W Szczegóły dotyczące opakowania: Pudełko Zdolność dostaw: 50000 sztuk miesięcznie Opis produktu Moduł wzmacniacza mocy RF GaN LDK-TZ-100W szerokopasmowy ...
Moduł wzmacniacza mocy RF GaN LDK-TZ-100W szerokopasmowy (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
TZ-KGAN-100W to kompaktowy wzmacniacz mocy RF GaN w metalowej obudowie, przeznaczony do integracji z systemami przemysłowymi. Dostarcza moc wyjściową 100W w zakresie 100-1020 MHz, ze sprawnością roboczą typowo 50% i wahania mocy ±1,5 dB w szerokim zakresie temperatur. Dostępne są dwie opcje fizyczne: wersja standardowa i wersja z fabrycznie zamontowanym izolatorem, z osobnymi wymiarami i parametrami wagowymi. Przyjmuje chłodzenie podstawowe i wymaga chłodzenia powietrzem wymuszonym lub radiatora przewodzącego dla stabilnej pracy. Moduł obsługuje wyzwalanie włączania/wyłączania na wysokim/niskim poziomie dla zdalnego sterowania sprzętowego. Jest mocowany śrubami M3 dla łatwej instalacji w obudowie. Wszystkie dane testowe są zbierane w temperaturze otoczenia 25°C, możliwe są do omówienia niestandardowe opcje mechaniczne i interfejsowe.
| Pozycja | Specyfikacja | Uwagi |
|---|---|---|
| Model produktu | LDK-TZ-KGAN-100W | |
| Częstotliwość pracy | 100-1020 MHz | Pokrywa wiele podzakresów, wbudowane wysokowydajne źródło sygnału |
| Moc wyjściowa znamionowa maks. | 100W (50 dBm) | Pobór prądu ≤7,8A przy maksymalnej mocy |
| Maksymalne wzmocnienie | 45 dB | |
| Typowa sprawność wzmacniacza | 50% | |
| Napięcie wejściowe DC | 24-32 V | Zalecane typowe napięcie robocze: 28 V |
| Zdolność zasilania | ≥9 A | Wymagane dla ciągłej pracy z pełną mocą fali ciągłej |
| Temperatura pracy otoczenia | -40°C ~ +55°C | |
| Odchylenie mocy wyjściowej | ±1,5 dB | Zmierzono w zakresie -20°C ~ +75°C |
| VSWR wyjściowy | ≤2 | |
| Interfejs wyjściowy RF | N-żeński | Dostępne są niestandardowe złącza |
| Sygnał włączający | Pin białego przewodu | Wysoki poziom dla włączenia, niski poziom dla wyłączenia |
| Rozmiar - wersja standardowa | 156,564,724,5 mm | Wymiary nie obejmują złącza N-żeńskiego |
| Rozmiar - wersja z izolatorem | 187,164,724,5 mm | Wymiary nie obejmują złącza N-żeńskiego |
| Waga jednostkowa | 471g / 500g | Wersja standardowa / z izolatorem |
| Rozwiązanie termiczne | Chłodzenie podstawowe | Wymaga chłodzenia powietrzem wymuszonym lub radiatora przewodzącego |
| Element mocujący | Śruby stalowe M3.0 |
Kluczowe zalety:
- Dostarcza do 100W ciągłej mocy wyjściowej RF, zapewniając silne możliwości wzmocnienia dla wysokowydajnych systemów RF.
- Oparty na technologii półprzewodnikowej GaN, charakteryzuje się wysoką sprawnością, odpornością na wysokie temperatury i doskonałą odpornością na napięcie dla stabilnej pracy.
- Obsługuje szeroki zakres częstotliwości od 100 MHz do 1020 MHz, z wieloma opcjami częstotliwości dla elastycznej integracji systemu.
- Wbudowana konstrukcja wysokowydajnego źródła sygnału zmniejsza zapotrzebowanie na zewnętrzne urządzenia i upraszcza wdrażanie systemu.
- Zapewnia wysoką liniowość i niskie zniekształcenia wyjściowe, aby zapewnić niezawodną wydajność sygnału RF w wymagających zastosowaniach.
