Ladasky 100W 50dBm GaN Amplificador de Potência Modulo de Amplificador de RF 100-1020MHz com Fonte de Sinais Integrada para Sistemas Contra Drones
Informações Detalhadas Local de Origem: China Certificação: Guangdong, China Frequência de Detecção: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100W Detalhes da Embalagem: Caixa Capacidade de Fornecimento: 50000 peças por mês Descrição do Produto Módulo Amplificador de Potência RF GaN de Banda Larga LDK-TZ...
Módulo Amplificador de Potência RF GaN de Banda Larga LDK-TZ-100W (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
TZ‑KGAN‑100W é um amplificador de potência RF GaN compacto com invólucro metálico, construído para integração de sistemas industriais. Ele fornece 100W de saída em 100‑1020 MHz, com 50% de eficiência de trabalho típica e variação de potência de ±1.5 dB em uma ampla faixa de temperatura. Duas opções físicas são selecionáveis: unidade padrão e unidade pré‑equipada com isolador com parâmetros de dimensão e peso separados. Adota dissipação térmica baseada na parte inferior e necessita de resfriamento a ar forçado ou dissipador de calor condutivo para desempenho estável. O módulo suporta gatilho de habilitação de alto/baixo nível para controle remoto de hardware. É fixado com parafusos M3 para fácil instalação no chassi. Todos os dados de teste são coletados em condições ambientes de 25℃, opções mecânicas e de interface personalizadas podem ser discutidas.
| Item | Especificação | Observações |
|---|---|---|
| Modelo do Produto | LDK‑TZ‑KGAN‑100W | |
| Frequência Operacional | 100‑1020 MHz | Múltiplas sub‑faixas cobertas, fonte de sinal de alta‑eficiência embutida |
| Saída Máxima Nominal | 100W (50 dBm) | Consumo de corrente ≤7.8A na potência máxima |
| Ganho Máximo | 45 dB | |
| Eficiência Típica do Amplificador | 50% | |
| Tensão de Entrada DC | 24‑32 V | Tensão de trabalho típica recomendada: 28 V |
| Capacidade da Fonte de Alimentação | ≥9 A | Necessário para saída de potência total contínua de onda contínua |
| Temperatura Ambiente de Trabalho | -40℃ ~ +55℃ | |
| Desvio de Potência de Saída | ±1.5 dB | Medido dentro de ‑20℃ ~ +75℃ |
| VSWR de Saída | ≤2 | |
| Interface de Saída RF | N‑Fêmea | Conectores personalizados são aceitáveis |
| Sinal de Habilitação | Pino de fio branco | Alto‑nível para ligar, baixo‑nível para desligar |
| Tamanho‑Versão Padrão | 156.564.724.5 mm | Dimensão exclui conector N‑Fêmea |
| Tamanho‑Versão com Isolador | 187.164.724.5 mm | Dimensão exclui conector N‑Fêmea |
| Peso Unitário | 471g / 500g | Versão padrão / com isolador |
| Solução Térmica | Dissipação de calor na base | Requer resfriamento a ar forçado ou dissipador de calor condutivo |
| Fixador de Montagem | Parafusos de aço M3.0 |
Principais Destaques:
- Fornece até 100W de potência de saída RF contínua, oferecendo forte capacidade de amplificação para sistemas de RF de alto desempenho.
- Baseado em tecnologia de semicondutor GaN, apresentando alta eficiência, alta tolerância à temperatura e excelente resistência à tensão para operação estável.
- Suporta ampla cobertura de frequência de 100MHz a 1020MHz, com múltiplas opções de frequência para integração flexível do sistema.
- Design de fonte de sinal de alta eficiência embutido reduz os requisitos de equipamentos externos e simplifica a implantação do sistema.
- Fornece alta linearidade e saída de baixa distorção para garantir desempenho confiável do sinal de RF em aplicações exigentes.
