Ladasky 100W 50dBm GaN Amplificador de Potência Modulo de Amplificador de RF 100-1020MHz com Fonte de Sinais Integrada para Sistemas Contra Drones
Informações Detalhadas Local de Origem: China Certificação: Guangdong, China Frequência de Detecção: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100W Detalhes da Embalagem: Caixa Capacidade de Fornecimento: 50000 peças por mês Descrição do Produto Módulo Amplificador de Potência RF GaN de Banda Larga LDK-TZ...
Módulo Amplificador de Potência GaN de 50dBm
,Amplificador de Potência Contradrone de 100W
,Amplificador de Potência com Fonte de Sinal Integrada
Módulo Amplificador de Potência RF GaN de Banda Larga LDK-TZ-100W (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
TZ‑KGAN‑100W é um amplificador de potência RF GaN compacto com invólucro metálico, construído para integração de sistemas industriais. Ele fornece 100W de saída em 100‑1020 MHz, com 50% de eficiência de trabalho típica e variação de potência de ±1.5 dB em uma ampla faixa de temperatura. Duas opções físicas são selecionáveis: unidade padrão e unidade pré‑equipada com isolador com parâmetros de dimensão e peso separados. Adota dissipação térmica baseada na parte inferior e necessita de resfriamento a ar forçado ou dissipador de calor condutivo para desempenho estável. O módulo suporta gatilho de habilitação de alto/baixo nível para controle remoto de hardware. É fixado com parafusos M3 para fácil instalação no chassi. Todos os dados de teste são coletados em condições ambientes de 25℃, opções mecânicas e de interface personalizadas podem ser discutidas.
| Item | Especificação | Observações |
|---|---|---|
| Modelo do Produto | LDK‑TZ‑KGAN‑100W | |
| Frequência Operacional | 100‑1020 MHz | Múltiplas sub‑faixas cobertas, fonte de sinal de alta‑eficiência embutida |
| Saída Máxima Nominal | 100W (50 dBm) | Consumo de corrente ≤7.8A na potência máxima |
| Ganho Máximo | 45 dB | |
| Eficiência Típica do Amplificador | 50% | |
| Tensão de Entrada DC | 24‑32 V | Tensão de trabalho típica recomendada: 28 V |
| Capacidade da Fonte de Alimentação | ≥9 A | Necessário para saída de potência total contínua de onda contínua |
| Temperatura Ambiente de Trabalho | -40℃ ~ +55℃ | |
| Desvio de Potência de Saída | ±1.5 dB | Medido dentro de ‑20℃ ~ +75℃ |
| VSWR de Saída | ≤2 | |
| Interface de Saída RF | N‑Fêmea | Conectores personalizados são aceitáveis |
| Sinal de Habilitação | Pino de fio branco | Alto‑nível para ligar, baixo‑nível para desligar |
| Tamanho‑Versão Padrão | 156.564.724.5 mm | Dimensão exclui conector N‑Fêmea |
| Tamanho‑Versão com Isolador | 187.164.724.5 mm | Dimensão exclui conector N‑Fêmea |
| Peso Unitário | 471g / 500g | Versão padrão / com isolador |
| Solução Térmica | Dissipação de calor na base | Requer resfriamento a ar forçado ou dissipador de calor condutivo |
| Fixador de Montagem | Parafusos de aço M3.0 |
Principais Destaques:
- Fornece até 100W de potência de saída RF contínua, oferecendo forte capacidade de amplificação para sistemas de RF de alto desempenho.
- Baseado em tecnologia de semicondutor GaN, apresentando alta eficiência, alta tolerância à temperatura e excelente resistência à tensão para operação estável.
- Suporta ampla cobertura de frequência de 100MHz a 1020MHz, com múltiplas opções de frequência para integração flexível do sistema.
- Design de fonte de sinal de alta eficiência embutido reduz os requisitos de equipamentos externos e simplifica a implantação do sistema.
- Fornece alta linearidade e saída de baixa distorção para garantir desempenho confiável do sinal de RF em aplicações exigentes.
