Amplificador de Potencia Ladasky 100W 50dBm GaN 100-1020MHz Módulo Amplificador RF con Fuente de Señal Integrada para Sistemas Antidron
Información detallada El lugar de origen: China. Certificación: Guangdong, China Frecuencia de detección: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100 W Detalles del envase: Cuadro Capacidad de suministro: 50000 piezas al mes Descripción del producto LDK-TZ- 100W GaN amplificador de potencia RF de banda ...
LDK-TZ- 100W GaN amplificador de potencia RF de banda ancha (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
El TZ-KGAN-100W es un amplificador de potencia GaN RF compacto cerrado en metal diseñado para la integración de sistemas industriales.Variación de potencia de 5 dB dentro de un amplio rango de temperaturaSe pueden seleccionar dos opciones físicas: una unidad estándar y una unidad preinstalada con aislante con parámetros de dimensiones y peso separados.Adopta una disipación térmica basada en el fondo y necesita refrigeración por aire forzado o disipador de calor conductor para un rendimiento estable. El módulo admite un activador de alto/bajo nivel para el control remoto del hardware. Está fijado con tornillos M3 para una fácil instalación del chasis. Todos los datos de prueba se recogen a 25 °C en condiciones ambientales,Las opciones mecánicas y de interfaz personalizadas se pueden discutir.
| Punto de trabajo | Especificación | Las observaciones |
|---|---|---|
| Modelo de producto | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | |
| Frecuencia de funcionamiento | 100 a 1020 MHz | Fuente de señal de alta eficiencia incorporada para múltiples subcategorías |
| Producción máxima nominal | Se aplicarán los siguientes requisitos: | Consumo de corriente ≤ 7,8A a potencia máxima |
| Ganancia máxima | 45 dB | |
| Eficiencia típica del amplificador | El 50% | |
| Voltado de entrada de corriente continua | 24 a 32 V | Válvula de tensión de funcionamiento: 28 V |
| Capacidad de suministro de energía | ≥ 9 A | Requerido para la salida de potencia completa de onda continua |
| Temperatura ambiente de trabajo | -40 °C ~ +55 °C | |
| Desviación de la potencia de salida | ± 1,5 dB | Medido entre -20 °C y +75 °C |
| VSWR de salida | ≤ 2 años | |
| Interfaz de salida de RF | N-Hembra | Los conectores personalizados son aceptables |
| Habilitar la señal | Pin de alambre blanco | Nivel alto para encender, nivel bajo para apagar |
| Tamaño-Versión estándar | 156.564.724.5 mm | Dimensión excluye conector N-Female |
| Versión de tamaño con aislante | 187.164.724.5 mm | Dimensión excluye conector N-Female |
| Peso de la unidad | 471 g / 500 g | Versión estándar / con aislante |
| Solución térmica | Disipación de calor de base | Requiere enfriamiento por aire forzado o disipador de calor conductor |
| Accesorios de montaje | Parafusos de acero |
Lo más destacado:
- Proporciona hasta 100W de potencia de salida RF continua, proporcionando una fuerte capacidad de amplificación para sistemas RF de alto rendimiento.
- Basado en la tecnología de semiconductores GaN, con alta eficiencia, alta tolerancia a la temperatura y excelente resistencia al voltaje para un funcionamiento estable.
- Soporta una amplia cobertura de frecuencia de 100 MHz a 1020 MHz, con múltiples opciones de frecuencia para una integración flexible del sistema.
- El diseño incorporado de una fuente de señal de alta eficiencia reduce los requisitos de equipos externos y simplifica la implementación del sistema.
- Proporciona una alta linealidad y baja salida de distorsión para garantizar un rendimiento fiable de la señal de RF en aplicaciones exigentes.
