Amplificador de Potencia Ladasky 100W 50dBm GaN 100-1020MHz Módulo Amplificador RF con Fuente de Señal Integrada para Sistemas Antidron
Información detallada El lugar de origen: China. Certificación: Guangdong, China Frecuencia de detección: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100 W Detalles del envase: Cuadro Capacidad de suministro: 50000 piezas al mes Descripción del producto LDK-TZ- 100W GaN amplificador de potencia RF de banda ...
Módulo Amplificador de Potencia GaN de 50dBm
,Amplificador de Potencia Antidron de 100W
,Amplificador de Potencia con Fuente de Señal Integrada
LDK-TZ- 100W GaN amplificador de potencia RF de banda ancha (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
El TZ-KGAN-100W es un amplificador de potencia GaN RF compacto cerrado en metal diseñado para la integración de sistemas industriales.Variación de potencia de 5 dB dentro de un amplio rango de temperaturaSe pueden seleccionar dos opciones físicas: una unidad estándar y una unidad preinstalada con aislante con parámetros de dimensiones y peso separados.Adopta una disipación térmica basada en el fondo y necesita refrigeración por aire forzado o disipador de calor conductor para un rendimiento estable. El módulo admite un activador de alto/bajo nivel para el control remoto del hardware. Está fijado con tornillos M3 para una fácil instalación del chasis. Todos los datos de prueba se recogen a 25 °C en condiciones ambientales,Las opciones mecánicas y de interfaz personalizadas se pueden discutir.
| Punto de trabajo | Especificación | Las observaciones |
|---|---|---|
| Modelo de producto | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | |
| Frecuencia de funcionamiento | 100 a 1020 MHz | Fuente de señal de alta eficiencia incorporada para múltiples subcategorías |
| Producción máxima nominal | Se aplicarán los siguientes requisitos: | Consumo de corriente ≤ 7,8A a potencia máxima |
| Ganancia máxima | 45 dB | |
| Eficiencia típica del amplificador | El 50% | |
| Voltado de entrada de corriente continua | 24 a 32 V | Válvula de tensión de funcionamiento: 28 V |
| Capacidad de suministro de energía | ≥ 9 A | Requerido para la salida de potencia completa de onda continua |
| Temperatura ambiente de trabajo | -40 °C ~ +55 °C | |
| Desviación de la potencia de salida | ± 1,5 dB | Medido entre -20 °C y +75 °C |
| VSWR de salida | ≤ 2 años | |
| Interfaz de salida de RF | N-Hembra | Los conectores personalizados son aceptables |
| Habilitar la señal | Pin de alambre blanco | Nivel alto para encender, nivel bajo para apagar |
| Tamaño-Versión estándar | 156.564.724.5 mm | Dimensión excluye conector N-Female |
| Versión de tamaño con aislante | 187.164.724.5 mm | Dimensión excluye conector N-Female |
| Peso de la unidad | 471 g / 500 g | Versión estándar / con aislante |
| Solución térmica | Disipación de calor de base | Requiere enfriamiento por aire forzado o disipador de calor conductor |
| Accesorios de montaje | Parafusos de acero |
Lo más destacado:
- Proporciona hasta 100W de potencia de salida RF continua, proporcionando una fuerte capacidad de amplificación para sistemas RF de alto rendimiento.
- Basado en la tecnología de semiconductores GaN, con alta eficiencia, alta tolerancia a la temperatura y excelente resistencia al voltaje para un funcionamiento estable.
- Soporta una amplia cobertura de frecuencia de 100 MHz a 1020 MHz, con múltiples opciones de frecuencia para una integración flexible del sistema.
- El diseño incorporado de una fuente de señal de alta eficiencia reduce los requisitos de equipos externos y simplifica la implementación del sistema.
- Proporciona una alta linealidad y baja salida de distorsión para garantizar un rendimiento fiable de la señal de RF en aplicaciones exigentes.
