Ladasky 100W 50dBm GaN Amplificateur de puissance Module d'amplificateur RF 100-1020MHz avec source de signal intégrée pour les systèmes anti-drones
Informations détaillées Le lieu d'origine: Chine Certification de l'appareil Guangdong, Chine Fréquence de détection: 100-400/200-400/400-700/700-1020MHz 100 W Détails de l' emballage: Boîte Capacité d'approvisionnement: 50000 pièces par mois Description du produit Module d'amplificateur de ...
Module d'amplificateur de puissance RF à large bande GaN de 100 W (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
Le TZ-KGAN-100W est un amplificateur de puissance GaN RF compact recouvert de métal conçu pour l'intégration de systèmes industriels.Variation de puissance de 5 dB dans une large plage de températureDeux options physiques sont sélectionnables: unité standard et unité pré-équipée d'un isolant avec des paramètres de dimension et de poids distincts.Il adopte la dissipation thermique par fond et a besoin d'un refroidissement par air forcé ou d'un dissipateur de chaleur conducteur pour des performances stables. Le module prend en charge le déclenchement activé de haut/bas niveau pour le contrôle à distance du matériel. Il est fixé avec des vis M3 pour une installation facile du châssis. Toutes les données d'essai sont collectées à 25 °C,Des options mécaniques et d'interface personnalisées peuvent être discutées.
| Nom de l'article | Spécification | Les commentaires |
|---|---|---|
| Modèle de produit | Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de puissance supérieure à 100 W. | |
| Fréquence de fonctionnement | 100 à 1020 MHz | Source de signal à haut rendement intégrée couvrant plusieurs sous-réseaux |
| Maximum de sortie nominale | 100 W (50 dBm) | Consommation de courant ≤ 7,8 A à puissance maximale |
| Gain maximal | 45 dB | |
| Efficacité typique des amplificateurs | 50% | |
| Voltage d'entrée CC | 24 à 32 V | Voltage de fonctionnement typique recommandé: 28 V |
| Capacité d'alimentation électrique | ≥ 9 A | Exigé pour une sortie à pleine puissance d'onde continue |
| Température ambiante de travail | -40°C à +55°C | |
| Déviation de la puissance de sortie | ± 1,5 dB | Mesurée dans une plage comprise entre -20°C et +75°C |
| Résultats VSWR | ≤ 2 | |
| Interface de sortie RF | N-Femme | Les connecteurs personnalisés sont acceptables |
| Activer le signal | épingle de fil blanc | Niveau élevé pour l'allumage, niveau bas pour l'arrêt |
| Taille version standard | 156.564.724.5 mm | Dimension n'inclut pas le connecteur N-Femme |
| Version taille avec isolateur | 187.164.724.5 mm | Dimension n'inclut pas le connecteur N-Femme |
| Poids unitaire | 471 g / 500 g | Version standard ou équipée d'un isolateur |
| Solution thermique | Dissipation de la chaleur de base | Requiert un refroidissement par air forcé ou un dissipateur de chaleur conducteur |
| Le dispositif de fixation | M3.0 vis en acier |
Principaux points:
- Fournit une puissance de sortie RF continue allant jusqu'à 100 W, offrant une forte capacité d'amplification pour les systèmes RF haute performance.
- Basé sur la technologie des semi-conducteurs GaN, avec une efficacité élevée, une tolérance à haute température et une excellente résistance à la tension pour un fonctionnement stable.
- Prend en charge une large couverture de fréquence de 100 MHz à 1020 MHz, avec plusieurs options de fréquence pour une intégration flexible du système.
- La conception intégrée d'une source de signal à haut rendement réduit les besoins en équipement externe et simplifie le déploiement du système.
- Fournit une haute linéarité et une faible sortie de distorsion pour assurer des performances fiables du signal RF dans des applications exigeantes.
