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Qualidade Módulo amplificador de potência GaN RF de banda larga de 50 W 300-500 MHz | CW PA robusto para aplicações de hardware RF e rádio de campo Fábrica
Qualidade Módulo amplificador de potência GaN RF de banda larga de 50 W 300-500 MHz | CW PA robusto para aplicações de hardware RF e rádio de campo Fábrica
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Qualidade Módulo amplificador de potência GaN RF de banda larga de 50 W 300-500 MHz | CW PA robusto para aplicações de hardware RF e rádio de campo Fábrica

Módulo amplificador de potência GaN RF de banda larga de 50 W 300-500 MHz | CW PA robusto para aplicações de hardware RF e rádio de campo

Módulo amplificador de potência GaN RF de banda larga de 50 W 300-500 MHz | CW PA robusto para aplicações de hardware RF e rádio de campo
Propriedades Básicas
País De Origem
GUANGDONG-China
Marca
LDSK-TZ
MODELO DE PRODUTO
TZ-KGaN
Propriedades comerciais
MOQ
1
Preço Unitário
$96
Método De Pagamento
T/T,D/P,D/A
Resumo do Produto

Módulo amplificador GaN CW RF de banda larga de 50 W para 300-500 MHz. Apresenta ganho de 45dB, eficiência típica de 46% e desempenho VSWR favorável. Unidade robusta em invólucro metálico com saída SMA-Fêmea, estável entre -40℃~+55℃, adequada para rádio de campo e desenvolvimento de hardware RF de banda larga.

Detalhes do produto
Destacar:

Amplificador de potência de 50W GaN RF

,

Módulo PA de banda larga de 300-500 MHz

,

Amplificador CW RF robusto
Output Port  VSWR: ≤2
Frequency Range: 100-400 MHz
Weight: 320 g
Working Voltage: 28 v
Maximum Output Power: 47 dBm
RF Output Connector: SMA
High And Low Temperature Test: -40~+55 ℃ (temperatura do ambiente de trabalho)
Size: 133,8×51,3×22,5mm
Descrição do produto
Visão Geral do Produto

O Módulo Amplificador de Potência RF GaN de Banda Larga de 50W oferece desempenho robusto de onda contínua (CW) em bandas de frequência selecionáveis de 100 MHz a 700 MHz. Projetado com tecnologia GaN de alta eficiência e uma fonte de sinal LoRa integrada, este módulo é construído especificamente para integração de hardware RF exigente e implantações de rádio de campo onde a confiabilidade e a resiliência térmica são críticas.

Especificações Técnicas
Item Especificação Unidade Observações
Faixa de Frequência 100–400 / 200–400 / 300–500 / 400–700 MHz Fonte de sinal LoRa de alta eficiência integrada
Tensão de Trabalho 28 V 24–32 V
Potência Máxima de Saída 47 dBm 50 W @ ≤3.5 A
Eficiência do Amplificador de Potência 46 % Eficiência típica
Ganho Máximo 45 dB Ganho de potência máximo
Teste de Alta e Baixa Temperatura Temperatura do ambiente de trabalho °C −40 a +55
Estabilidade de Potência ±1.5 dB −20 °C a +75 °C
VSWR da Porta de Saída ≤2 — —
Requisitos de Fonte de Alimentação ≥4.5 A — Saída de onda contínua 100 W
Interface da Fonte de Alimentação — — Vermelho para positivo / B+, Preto para negativo / B− ou capacitor de passagem
Habilitar Nenhum — —
Conector de Saída RF SMA — Fêmea
Tamanho 133.8 × 51.3 × 22.5 mm Excluindo conector
Furo de Instalação 129.1 × 46.1 mm M3.0 × 4
Peso 320 g —
Galeria de Produtos
50W wide-band GaN RF power amplifier module front view
GaN RF power amplifier module side profile showing SMA connector
RF amplifier module top view with mounting holes
Close-up of GaN RF amplifier module power supply interface
RF power amplifier module rear panel view
GaN amplifier module angled view showing heatsink surface
50W GaN RF amplifier module with SMA female output connector
Caso de Aplicação
Field deployment application case of the 50W GaN RF power amplifier module
Sobre Nossa Empresa
Company facility and manufacturing overview Production line and quality control at our Shenzhen manufacturing facility Engineering team and testing equipment at our company
Perguntas Frequentes
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Somos um fabricante sediado em Shenzhen, China. Você é calorosamente bem-vindo para visitar nossas instalações.

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Módulos anti-drone, sistemas anti-drone completos, detectores de drone e acessórios relacionados.

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Contador Fpv módulo Lora

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