logo
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع
جودة LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة مصنع

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة
الخصائص الأساسية
بلد المنشأ
الصين
الاسم التجاري
LDSK
شهادة
Guangdong, China
نموذج المنتج
إل دي كيه-تز-كغان 100 واط
تداول العقارات
الـ MOQ
1
طريقة الدفع
د/أ، د/ف، تي/تي، ويسترن يونيون، بايبال
القدرة على التوريد
50000 قطعة شهريا
ملخص المنتج

LDK-TZ- 100W GaN وايد باند RF قوة مكبر (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz) مواصفات المنتج TZ-KGAN-100W هو مكبر طاقة GaN RF مدفون بالمعدن المدمج المصمم لدمج النظام الصناعي. ويوفر 100W منخفضة على 100-1020 ميغاهرتز مع كفاءة عمل نموذجية بنسبة 50٪ و ± 1.5 ديسيبل من التغير في الطاقة ضمن نطاق درجة الحرار...

تفاصيل المنتج
Detecting Frequency: 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز 100 واط
وصف المنتج
LDK-TZ- 100W GaN وايد باند RF قوة مكبر (100-400/200-400/400-700/700-1020MHz)
مواصفات المنتج
TZ-KGAN-100W هو مكبر طاقة GaN RF مدفون بالمعدن المدمج المصمم لدمج النظام الصناعي. ويوفر 100W منخفضة على 100-1020 ميغاهرتز مع كفاءة عمل نموذجية بنسبة 50٪ و ± 1.5 ديسيبل من التغير في الطاقة ضمن نطاق درجة الحرارة الواسعهناك خياران فيزيائيان: الوحدة القياسية والوحدة المجهزة مسبقًا بمعزل مع معايير أبعاد ووزن منفصلة.يتبنى التبديد الحراري القائم على القاع ويحتاج إلى تبريد الهواء القسري أو غسيل الحرارة الموصل للأداء المستقر. تدعم الوحدة تشغيل فعالية عالية / منخفضة المستوى للتحكم عن بعد في الأجهزة. يتم تثبيتها بمسامير M3 لسهولة تركيب الهيكل. يتم جمع جميع بيانات الاختبار في 25 درجة مئوية في الظروف المحيطة ،يمكن مناقشة الخيارات الميكانيكية والواجهة المخصصة.

الخصائص الرئيسية

  • نوعان من الأجهزة المتاحة: الإصدار القياسي والإصدار المجهز بمعزل لاحتياجات النظام المختلفة
    هيكل التبديد الحراري المثبت في الأسفل، يدعم تبريد الهواء القسري أو تركيب المستنقعات الحرارية الموصلة
    تم تشغيل التحكم من خلال سلك تحكم أبيض منفصل ، مريح لإدارة الأجهزة على مستوى النظام
    اتساق الطاقة الممتازة ، يحافظ على تقلبات الإخراج ضمن ± 1.5 ديسيبل تحت بيئة درجة حرارة مختلفة
    غطاء مركب معدني صلب، فتحات تركيب محجوزة للتركيب السريع المثبت بالمسمار
    واجهة الخروج N-Female ، تدعم موصلات RF مخصصة عند طلب المشروع

المواصفات التقنية

البند المواصفات ملاحظات
نموذج المنتج LDK-TZ-KGAN-100W
التردد التشغيلي 100-1020 ميغاهرتز مصدر إشارة عالي الكفاءة المدمج
الحد الأقصى للإخراج 100 واط (50 ديسيبل) استهلاك التيار ≤7.8A عند القوة القصوى
الحد الأقصى للمكاسب 45 ديسيبل
كفاءة المضخم النموذجية 50%
الجهد الدخالي المتردد 24-32 فولت التوتر العامل النموذجي الموصى به: 28 فولت
قدرة إمدادات الطاقة ≥9 A مطلوبة لمخرج كامل الطاقة الموجة المستمرة
درجة حرارة البيئة -40°C ~ +55°C
انحراف الطاقة الخارجة ± 1.5 ديسيبل يقاس في حدود -20°C ~ +75°C
الخروج VSWR ≤2
واجهة الخروج الراديوية N- الإناث الموصلات المخصصة مقبولة
قم بتشغيل الإشارة دبوس الأسلاك البيضاء مستوى عالٍ للعمل، مستوى منخفض للعمل
النسخة القياسية للحجم 156.564.724.5 ملم البعد لا يتضمن رابط N-Female
نسخة الحجم مع العزل 187.164.724.5 ملم البعد لا يتضمن رابط N-Female
الوزن الوحدي 471 غرام / 500 غرام النسخة القياسية / المزودة بمعزل
الحل الحراري تبديد حرارة الأساس يتطلب تبريد الهواء القسري أو غسيل الحرارة الموصل
جهاز التثبيت M3.0 المسامير الصلبة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة
























وقت التنفيذ
كمية (PCS) وقت التنفيذ (أيام)
< 100 قطعة 7
< 500 قطعة 10
500 إلى 1000 قطعة 12
> 1000 قطعة للتفاوض
التعبئة والتسليم

LDK-TZ-KGAN 100 واط GaN مضخم للترددات اللاسلكية (RF) وحدة 100-400/200-400/400-700/700-1020 ميجا هرتز مع مصدر الإشارة


حول الشركة المصنعة
شركة Shenzhen Ladasky للتكنولوجيا المحدودةهي شركة وطنية ذات تكنولوجيا عالية متخصصة في التكنولوجيات المتقدمة للدفاع عن الطائرات بدون طيار وأنظمة الأمن منخفضة الارتفاع. نحن نركز على الاستشعار الراديوي، تحليل الإشارة، وحلول التداخل النشط.مجموعة منتجاتنا تشمل وحدات الكشف عن الطائرات بدون طياروحدات قمع الراديو اللاسلكي، وأنظمة محاكاة إشارات الملاحة.
لاداسكي ملتزمة بتقديم حلول دقيقة وفعالة وذكية لحماية منخفضة الارتفاعوحماية البنية التحتية الحيويةمدفوعين بالابتكار، نحن مكرسون لبناء منصات تكنولوجيا التحكم والإدارة للطائرات بدون طيار الرائدة في الصناعة.
الأسئلة الشائعة

س1: ما هي إعدادات التبريد المطلوبة لهذه الوحدة مكبرة الطاقة؟
ج1: يتم تبديد الحرارة من قاعدة الجزء السفلي من الوحدة. تحتاج إلى إعداد إعداد التبريد بالهواء القسري أو غسالة الحرارة الموصلة لتشغيل موثوق به لفترة طويلة.
س2: ما هو الفرق بين الأبعاد بين النسخة القياسية والنسخة المجهزة بمعزل؟
A2: الحجم القياسي:156.564.724.5 ملم؛ نسخة مع عازل:187.164.724.5 ملم. أحجام ثقوب تركيبهم تختلف أيضاً.
س3: كيفية تشغيل وظيفة التحكم في التشغيل؟
الجواب 3: يتم التحكم بالأسلاك البيضاء. قم بتطبيق إشارة عالية المستوى لتفعيل مكبر الصوت، قم بتطبيق إشارة منخفضة المستوى لإيقاف تشغيلها.
السؤال 4: ما هي قيم الوزن لمختلفات الأجهزة؟
A4: الجهاز القياسي يزن 471 غراماً، والنسخة المكونة من عازل يزن 500 غراماً.
السؤال 5: هل تؤيد تعديلات محددة للمشروع لهذا المضخم الراديوي؟
A5: يمكن تقديم موصلات RF مخصصة أو تعديلات تردد خاصة. يرجى الاتصال بفريق المبيعات لدينا وتوفير متطلبات مشروعك.