Mô-đun Nguồn Tín Hiệu nhà sản xuất từ Trung Quốc

200-400MHz 100W GaN Module chống máy bay không người lái

Thông số sản phẩm --GaN cho phép hiệu quả cao và sản lượng cao. Các chỉ số kỹ thuật về tần số vô tuyến và giám sát của mô-đun khuếch đại công suất quy định định nghĩa của từng cổng của mô-đun và hình dạng và cấu trúc của mô-đun. --Bộ khuếch đại công suất sử dụng các thành phần cốt lõi chính trong nư...

750-1050MHz 50W GaN Module chống máy bay không người lái chống Fpv chống Dji chống Autel Fpv Suppressor 700-1000MHz RF Module

Các thông số sản phẩm --GaN cho phép hiệu quả cao và sản lượng cao.Các chỉ số kỹ thuật tần số vô tuyến và giám sát của mô-đun khuếch đại công suất quy định định nghĩa của mỗi cổng của mô-đun và hình dạng và cấu trúc của mô-đun. - Bộ khuếch đại công suất sử dụng các thành phần chính cốt lõi trong nư...

720-1020MHz 50W GaN Module chống máy bay không người lái chống Fpv chống Dji chống Autel Fpv Suppressor 700-1000MHz RF Module

Chất lượng 4000-6000mhz Hệ thống chống máy bay không người lái Lora Module Counter Fpv Module 300-6000mhz 100W hệ thống chống máy bay không người lái chống fpv 250-400mhz 50W 100-1100mhz nhà máy

4000-6000mhz Hệ thống chống máy bay không người lái Lora Module Counter Fpv Module 300-6000mhz 100W hệ thống chống máy bay không người lái chống fpv 250-400mhz 50W 100-1100mhz

Mô tả sản phẩm Thông số kỹ thuật 1. Tổng quan 300-1500MHZ 100W DDS Module Mô-đun khuếch đại công suất điều chế kỹ thuật số của máy thông qua là mô-đun khuếch đại công suất của máy thông qua bao gồm nguồn tín hiệu phản biện và khuếch đại công suất.Nó có thể được sử dụng trực tiếp sau khi kết nối với ...

Chất lượng Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF Gallium‑Nitride 50W 720‑1020 MHz | Bộ khuếch đại CW được điều khiển PA‑EN để phát triển nguyên mẫu không dây tần số cao nhà máy

Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF Gallium‑Nitride 50W 720‑1020 MHz | Bộ khuếch đại CW được điều khiển PA‑EN để phát triển nguyên mẫu không dây tần số cao

Bộ khuếch đại RF CW gallium-nitride 50W trải rộng trên dải tần số cao 720‑1020 MHz. Tính năng logic PA‑EN cho phép điều khiển, mức tăng 45 dB và hiệu suất thông thường là 46%. Bộ phận kim loại nhẹ được tích hợp bộ cách ly với cổng SMA-Nữ, phù hợp với nguyên mẫu không dây và phần cứng truyền dẫn vô tuyến

Chất lượng Khối khuếch đại RF Gallium-Nitride công suất cao 50W 400‑700 MHz | Thiết bị CW có điều kiện ổn định để tích hợp thiết bị kiểm tra và vô tuyến ISM nhà máy

Khối khuếch đại RF Gallium-Nitride công suất cao 50W 400‑700 MHz | Thiết bị CW có điều kiện ổn định để tích hợp thiết bị kiểm tra và vô tuyến ISM

Bộ khuếch đại RF CW gallium‑nitride 50W bao phủ dải tần số trung cao 400‑700 MHz. Mang lại mức tăng 45dB và hiệu suất điển hình 46% với nguồn tín hiệu LoRa tích hợp sẵn. Cụm kim loại kín chắc chắn với cổng SMA‑Nữ, đáng tin cậy trên ‑40oC~+55oC cho đài ISM

Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF GaN băng rộng 50W 300‑500 MHz | CW PA mạnh mẽ cho các ứng dụng vô tuyến hiện trường và phần cứng RF

Mô-đun bộ khuếch đại GaN CW RF băng rộng 50W cho 300‑500 MHz. Có mức tăng 45dB, hiệu suất điển hình 46% và hiệu suất VSWR thuận lợi. Thiết bị được bọc bằng kim loại chắc chắn với đầu ra SMA-Nữ, ổn định trong khoảng -40oC~+55oC, thích hợp cho việc phát triển phần cứng RF băng thông rộng và vô tuyến tại hiện trường.

Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF GaN 50W Băng thông rộng 100‑400 MHz | Bộ khuếch đại CW hiệu suất cao để tích hợp hệ thống RF

Mô-đun bộ khuếch đại công suất RF GaN CW 50W bao phủ 100‑400 MHz. Mang lại mức tăng lên tới 45dB với hiệu suất điển hình 46%, đầu ra SMA‑Nữ, vỏ kim loại nhỏ gọn. Ổn định ở ‑40oC~+55oC, lý tưởng cho các dự án phần cứng tùy chỉnh và tích hợp RF công nghiệp.